RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2524
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link