RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3011
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link