RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3684
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link