RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
53
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
53
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2476
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link