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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3138
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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