RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
46
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3821
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link