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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3842
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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