RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3372
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link