RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Comparar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
64
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
64
Velocidade de leitura, GB/s
18.5
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
8.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3341
2103
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link