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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
15.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2508
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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