RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
28
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3120
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link