RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2843
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link