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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2955
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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