RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3609
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Comparações de RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link