RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3840
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Comparações de RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link