RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
104
Por volta de -215% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3157
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link