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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
73
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
63
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
7.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2162
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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