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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
47
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3222
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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