RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparar
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
2.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
30
Velocidade de leitura, GB/s
6.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
844
3238
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link