RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
44
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
4015
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link