RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
63
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
14.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3693
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link