RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
63
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
51
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2248
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link