RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Jinyu 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Jinyu 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Jinyu 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Jinyu 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
46
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Jinyu 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
21
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3209
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Jinyu 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link