RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3425
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link