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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,336.0
1,026.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
3200
Por volta de 2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
69
96
Por volta de -39% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
96
69
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
2,214.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
1,026.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
3200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
373
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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