RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
94
Около -213% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
30
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2709
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link