A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 84
    Около -200% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    10.7 left arrow 2.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    6.1 left arrow 2.4
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    84 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2.3 left arrow 10.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    2.4 left arrow 6.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    469 left arrow 1720
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения