RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
3052
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link