RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
66
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
66
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.1
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
1820
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link