RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
10.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2349
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link