RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
57
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
57
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2377
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link