A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Средняя оценка

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 29

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 17.7

Среднее значение в тестах

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.6 10.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 29
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 17.7
Скорость записи, Гб/сек

10.0 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2771 3483

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Catalyst 01GN80KFUA8 1GB

Catalyst 01GN80KFUA8 1GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

модули RAM