RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
60
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.0
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2359
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
V-GEN D3R8GL16A8R 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link