RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
52
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2973
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link