RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
12.3
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1966
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link