RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
66
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3073
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link