RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 66
    Около -78% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    8.8 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    5.0 left arrow 1,557.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    66 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,775.5 left arrow 8.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,557.9 left arrow 5.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    382 left arrow 1967

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
модули RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
модули RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
модули RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
модули RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
модули RAM