RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3938
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link