RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3004
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link