AMD R538G1601U2S 8GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

-->

Средняя оценка

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 28

Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 13

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 9.2

Среднее значение в тестах

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R538G1601U2S 8GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

19 28
Скорость чтения, Гб/сек

18.4 13.0
Скорость записи, Гб/сек

12.3 9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3189 2586

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM