RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 31
    Около 16% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.6 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.6 left arrow 11.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2174 left arrow 2354

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
модули RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
модули RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
модули RAM
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
модули RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
модули RAM