RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3568
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link