RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3337
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link