RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2935
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link