RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
2852
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link