RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2542
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link