RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2733
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link