G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 52

Около -73% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.5 1,479.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,226.4 18.7
Скорость записи, Гб/сек

1,479.2 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

590 2947

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB

Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

модули RAM