RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
52
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
3046
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link