RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
72
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
72
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
1728
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link